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对MBE生长的InGaAs量子阱(QW)激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器,通过控制脊的腐蚀深度,得到阈值电流密......
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减少器件的界面损耗从而提升其发光性能一直是发光二极管领域一个重要的研究热点。本文采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了GaN基......