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利用背景掺杂对SiC CVD系统总体泄漏程度评价方法研究

以各部分管道检漏达到低于1×10^-10（Pa·m^3）／s的SiC CVD为考察对象，通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源......

期刊

SiC外延 hot-wall 真空漏率背景掺杂 SiC CVD Hot-wall vacuum leak rate background dopin

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