nMOS场效应晶体管相关论文
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和......
提出了一种新型的Schottky体接触结构，能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应，这种结构可以通过在源区形成一个浅的n^+-p结和二......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理．对于nMOS器件，背栅n阱是通......
提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结......
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