The spectral and polarity dependence of the quantum yield of charge carrier photo-generation was stud-ied by steady-stat......

为了研究锑化铟（InSb）半导体材料的光电导太赫兹辐射过程，推导了太赫兹近场辐射公式。在考虑俄歇弛豫机制对光电导过程影响的情况下，分......

提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度，但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响，本......

位置敏感探测器PSD（Position Sensitive Detector PSD）具有位置分辨精度高（可达1～2μm）、输出实时性好（响应时间约几微秒）、系统简洁的特......

利用太阳能缓解能源危机和解决环境污染,是当前和未来的全球性课题.其中,光催化技术的研究步伐日渐加快.这不仅体现在光催化材料种......