从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏......

从模拟和实验两方面研究了ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＢＨＴ发射结中ｐｎ结界面和ＳｉＧｅ／Ｓｉ界面的相对位置对电流增益和频率特性的影响，发现两界面偏离时器件性能会变差，尤其是当......