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随着集成电路的使用环境变得更加严酷,为了保证芯片在较大的温度范围内有较高的稳定性,在芯片的可靠性评价考核过程中必须对芯片进......
摘 要：瞬变电压抑制二极管寿命试验后关键电参数漂移，指器件在经过高温反偏和反向浪涌电流后击穿电压VBR与漏电流IR的变化率与变化量......
瞬变电压抑制二极管,关键电参数指击穿电压VBR与漏电流IR.进行三温测试时,测试条件为:击穿电压VBR在25℃、-55℃时的测试值之差的......
根据目前国内电源模块的应用环境,为满足电源模块在工作运行时稳定性的需要,提出适用于三温环境下的电路工作板与电阻负载板相结合......
