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与时间有关的栅氧化层击穿相关论文
微电子生产工艺可靠性评价与控制
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)......
期刊
可靠性评估
与时间有关的栅氧化层击穿
热载流子注入效应
电迁移效应
工艺过程控制
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