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仿真分析了90nmCMOS工艺中串扰延迟的趋势,结果表明,90nmCMOSI艺下1mm的连线延迟远大于单位门的延迟,最坏情况下1mm连线延迟约为单位......
在串扰噪声及互连线延迟研究的基础上,分析了串扰延迟的本质以及串扰延迟变化曲线的计算问题;深入探讨了串扰延迟变化曲线和串扰噪......
深亚微米片上总线的功耗、布线面积约束和线间串扰是限制总线数据吞吐率的关键因素,为此该文提出一种自适应时空编码方法以降低总......