与其他GaN基单异质结材料相比,传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化,使得异质结界面存在高密度和高......

本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对AlxGa1-xN/InyGa1-......

本文研究AlN作为AlxGa1-xN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlxGa1-xN和AlN势垒层的自发极化、压电极化对AlxGa1-xN/AlN......