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锆合金是目前世界上运用在核动力反应堆中唯一的一种燃料元件包壳材料。但是腐蚀严重影响了锆合金在核反应堆的使用寿命。因此,对......
由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用......
在CH3SiCl3-H2体系中,采用化学气相沉积法(CVD)在1 000～1 300℃制备了SiC涂层.研究了SiC涂层的沉积速率和温度之间的关系,发现低温......
合成了液态碳硅烷并对其结构进行了分析；采用化学气相沉积工艺，以自制的液态碳硅烷为先驱体，分别在850℃和900℃的较低温度下制得了Si......
