研制了一种新型的低漏电常闭型光电隔离开关。介绍了该光电隔离开关的工作原理、参数设计。通过特别的结构设计实现了对微小漏电流......

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平......

介绍了铝电解电容器漏电流产生的根源,分析了影响漏电流的因素,通过研制工作电解液、选用高品质材料、改进制造工艺来控制铝电解电......

随着电池供电设备的广泛应用和集成电路工艺尺寸不断减小,降低电源电压成为了降低功耗的有效途径。低电压也带来了新的问题,漏电功......

本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD（ICPCVD）工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条......