低能质子相关论文
本文以28nm体硅SRAM和28nm FDSOI SRAM为研究对象,以辐照实验、建模仿真、理论分析为研究方法,探讨了低能质子诱导的单粒子效应。......
本文围绕低能质子在星内器件中的非电离能损(NIEL)和空间电子对太阳软X射线探测器干扰两项研究内容，利用蒙特卡罗方法进行了一系列......
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤是导致空间辐射环境中新型光电器件失效的主要因素.由于低能时库仑相互作用占主导地位,一般采用Mo......
分析了新型光电器件在常规空间辐射环境下,电子器件所产生的一系列位移型损伤及对应成因。经多次对比实验发现,其位移损伤和器件失......
在低能(60～360keV)质子注入氘化钛(Ti2Hx)、钛(Ti)、钼底衬钛箔及钼(Mo)和不锈钢(SS)等金属样品的实验中,观测到了能量分别约为3.9......
针对65,90,250 nm三种不同特征尺寸的静态随机存储器基于国内和国外质子加速器试验平台,获取了从低能到高能完整的质子单粒子翻转......
利用空间综合辐照环境模拟器对F46/Ag二次表面镜进行低能质子辐照试验,发现30 keV质子辐照会导致F46/Ag的光学性能发生显著退化,波......
