光学禁带相关论文
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275 ℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR......
主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶－凝胶（Sol—Gel）旋转涂覆法，在Si（100）上生长掺镉ZnO薄膜，对薄膜的XRD分析表明，掺镉ZnO薄膜仍为......
本文提出了一种两套晶格嵌套的全新纯二维嵌套复式周期光子晶体结构，并通过理论计算获得了外周期结构调制禁带位置，内周期的细微结构......
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度......
ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料，在室温下的禁带宽度约为3.37eV，对应紫外波段的光子能量，且ZnO具有较高的化学和热稳定性，较强的......
采用Sol—Gel法，结合旋转涂覆技术在Si（100）衬底上制备了ZnO：Cd薄膜，并对其在600～800℃热处理。X-射线衍射仪（XRD）结果表明，ZnO：Cd薄膜具有与......
介绍了时域有限差分法的基本原理，并对一维光子晶体薄膜中传播的电磁场作了模拟和分析。通过对光子晶体透射谱的研究，讨论了不同周期......
