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研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等......
1.前言 InSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在77°K时,禁带宽0.23电子伏,因为载流子迁移率高,在红外波段(截止波长5.5微米)灵敏度较高,适......
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