光电导谱相关论文
在全电荷自旋重组的模型下,计算了铜氧化物高温超导体正常态的光电导性质,发现在欠掺杂和最佳掺杂区,铜氧化物高温超导体正常态的......
1988年P.Grunberg和Fert等人在Fe／Cr超晶格中发现巨磁电阻（GMR）效应，这种技术迅速在传感器、磁头和存储介质领域得到应用，并在自旋晶体......
2010年新发现的铁硫基超导体AyFe2-xSe2(y = K,Rb,Cs,Tl)掀起了国际上铁基超导的研究热潮.我们组报导了对K0.75Fe1.75Se2超导体的......
本文首先描述傅立叶变换光谱学和傅立叶变换光谱仪，并详细介绍了步进扫描时间分辨光谱的发展和工作原理。通过拟合步进扫描时间分辨......
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积法(VHF-PECVD),通过改变氢稀释比制备出一系列硅薄膜样品。由弱光条件下光电导谱分析了材料的......
在４．２－５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ１－ｘ－Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼......
采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p<sub>1/2</sub>系列跃迁谱线.考虑裂开P<sub>1/2<......
当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化......
用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度......
我们用巨正则量子蒙特卡洛和最大熵方法研究了二维正方格点上Ｈｕｂｂａｒｄ模型的光电导谱，在半满条件下，光电导谱呈现一能隙区，掺杂后，光电导谱在ω......
采用射频磁控溅射用x=0.00～0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在Si（100）和石英衬底上生长一系列的MgxZn1-xO薄膜。用XRD、XPS、透射谱和光电导谱......
1988年P.Grunberg和Fert等人在Fe／Cr超晶格中发现巨磁电阻（GMR）效应，这种技术迅速在传感器、磁头和存储介质领域得到应用，并在自旋晶体......
