光电流特性相关论文
用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器.研究发现在5 V偏压,365 nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为......
根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态......
利用电容测试法和光电流技术研究了X80管线钢在NaHCO3／Na2CO3缓冲溶液中所成钝化膜的半导体性能和光电流特性，分析了成膜电位、成膜......
一维半导体纳米材料如纳米棒、纳米线和纳米管等因具有独特的物理和化学性能而备受关注,在光敏、气敏、光子集成等各种光电器件中......
