研究了硅光电二极管经快中子（注入剂量为１０＾１１ｃｍ＾－２，能量２．４５ＭｅＶ）和Ｏ＾＋＋＋（注入剂量为１０＾１０ｃｍ＾－２，能量１２ＭｅＶ）辐照后光电参数的变化规律，并通过光谱光电流的变化，对辐照损伤的空间分......