常规功率MOS器件受到“硅极限”的限制,其很难应用于高耐压、大电流领域中。尽管超结(SJ)结构器件打破了比导通电阻Ron,sp与击穿电......

GaN作为第三代半导体材料,因其具有宽禁带,高迁移率,低本征载流子浓度等性质而成为一个非常瞩目的研究热点。常规单层异质结器件凭......

高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件是电力电子模块和电力电子系统的核心器件,具有高耐压、大功率、大电流、易集成、......

被称为电力电子装置和系统之核的功率半导体器件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)具有高输入阻抗、低驱动功率、高击穿电......

功率槽型MOSFET具有低功耗,便于集成,体积小等优良特性,这些特性使其成为低压高频领域中最流行的器件之一。然而普通功率槽型MOSFE......

随着现代社会的技术发展以及微电子行业的迅速发展,电子产品的更新换代速度也越来越快,半导体产业也面临着向更高水平发展的问题,......