分布放大器相关论文
介绍了2～18GHz GaAs 微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作。给出了主要研究结果:在2～18GHz 频率范围内,管壳封装的两级......
M/A-COM公司宣布了一种表面安装塑封超宽带放大器。这种宽带放大器引起诸如测试仪表、军事电子战及电子对抗、微波点对点无线电设......
本文介绍了毫米波单片元件的最新发展,讨论了几个单片例子,其中包括输出功率为0.7毫瓦的66GHZ FET 振荡器,典型变频损耗为9分贝的 ......
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz～16GHz范围......
利用0．5pmGaAsPHEMT技术研究了适用于单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端的关键工艺，解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题，包括......
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端，它包括金属-半导体-金属（MSM）光探测器和分布放大器．探测器光敏面积......
利用0．2μm GaAs PHEMT工艺实现了40Gb／s光接收机中的前置放大器．该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构，3dB带宽超过40GHz，输入输......
采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。......
采用0．5μm GaAs PHEMT工艺，研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm，电容为0．25pF，10......
