区熔生长相关论文
研究了用于热电变换器件的半导体材料碲化铅晶体气相生长和区熔生长的生长特性,测试了碲化铅的热电性质.结果表明,不掺杂的碲化铅......
磷化铟具有三能谷的电子渡越机构,预期用作微波振荡器和放大器比砷化镓材料好,国外已制成了器件。我们在具有水平区熔生长的掺铬......
采用InP—PCl_3—H_2和In—PCl_3—H_2气相体系,在水平区熔生长的掺铬的半绝缘InP单晶(111)衬底上,生长了磷化铟外延层,制得了镜面......
通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c......
该论文就是在原来的空间半导体单晶区熔生长仿真系统的基础上,对仿真系统的通讯和显示模块进行了一些改进,基本实现了遥科学技术的......
本文提出一个晶体区熔生长的数学模型,可以根据炉管上十个热电偶的温度值计算出试样中的温场,再进一步计算出熔区位置、熔区宽度、生......
碲化铋基热电材料是目前室温附近性能最好和迄今为止唯一大规模商业化应用的热电材料。n型和p型Bi_2Te_3在室温附近的zT值有1左右,......