运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs (311)B 为衬底的In0.35Ga0.65As 模板上生长的InAs 表面量子点结构的反射谱. 在77K......

利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DW......