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原子层控制相关论文
MOCVD生长中利用Al双原子层控制和转变GaN的极性
讨论了采用MOCVD在Al2O3衬底上生长GaN过程中的极性问题.在氮化衬底上生长低温缓冲层前沉积一Al层来改变外延层的极性,并用CICISS......
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MOVCD
氮化镓
原子层控制
半导体材料
GaN polarity MOCVD AlN Al
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