双RESURF相关论文
针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传......
基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件，在国内3／amCMOS工艺基础上，开发出8～9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼......
对600V以上级具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性进行了实验研究,并对器件进行了二维、三维仿真分析.利用多区P-top降场......
