变程跳跃相关论文
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料,由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度及磁......
近年来，以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度......
以钙钛矿结构氧化物为代表的巨磁电阻材料，由于它们所表现出来的超大磁电阻效应（Colossal Magnetoresistance）在提高磁存储密度及磁敏......
本文对非化学计量的多晶SrFe1-xMnxO3-δ样品的结构和电输运性能作了系统的分析，并对可精确地确定氧含量的碘滴定法进行了详......
用固相烧结的方法成功制备了层状钙钛矿锰氧化物La1.2Sr1.8Cu0.04Mn1.96O7多晶样品. 研究发现, 在层状钙钛矿La1.2Sr1.8Mn2O7 中, ......
用固相反应法制备了La0.5-xPrxBa0.5CoO3系列化合物,系统研究了Pr不同含量时材料的磁性和电输运特性.结果表明:Pr掺杂没有改变Co的......
通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数......
研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为......
利用溶胶-凝胶工艺在SrTiO3单晶衬底上制备了一系列不同厚度的La0.7Ca0.3MnO3薄膜.X射线衍射表明这些薄膜均具有高度的择优取向性......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor, OTFT)因其成本低廉、可弯曲折叠、能大面积集成等优点,吸引了国内外研究机构和大......
