器件热相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

器件热相关论文

InAIN/AIN/GaN HEMT的研制与特性仿真

第三代半导体材料中，GaN材料具有击穿电压高、迁移率高、电子饱和速度大等优良特点。近年来AlGaN/GaN HEMT的研究已经取得很大的进......

学位

GaN材料 HEMT技术电学特性仿真分析极化掺杂效应器件热

基于热载荷和索张力的平面薄膜边界形状优化

针对平面薄膜相控阵天线受器件热以及边界索张力不确定的影响，提出一种平面薄膜相控阵天线边界形状优化方法。首先，考虑到天线单元的......

期刊

平面薄膜天线器件热索张力组合边界形状优化

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