InGaAs/InP p-i-n探测器能够响应短波红外波段(0.9～2.5μm)，在室温下具有较高探测率，可实现非制冷探测，而且成熟的InGaAs材料外延技术......

利用比例差值方法给出了MOS器件的一种新特性－－比例差值输出特性，该特性具有谱峰特征，其峰位、峰高与器件的特征参数 相关。采用一个......

随着传统化石能源的过度开采与使用,环境污染和能源危机变得日益严重,将清洁可再生的太阳能转化为电能的光伏器件受到了广泛关注。......