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基于有限体积法得到单晶炉腔内的温度场,研究加热功率、晶体转速以及坩埚转速对液-固界面的影响。计算结果表明,加热功率对液-固界面......
单晶硅氧含量的高低,直接影响其OSF缺陷、单晶硅电池的衰减系数、效率。直拉单晶工艺使用的石英埚和硅熔液的反应,决定了直拉单晶硅......
在固液界面控制方面,对Si等成熟半导体的研究较多,而对锑化铟(InSb)材料的研究极少.对InSb晶体等径段生长过程中晶体拉速、转速和......