堆叠晶体管相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

堆叠晶体管相关论文

基于65nm CMOS工艺的24.25～29.5GHz射频开关设计

射频单刀双掷开关作为射频收发机前端系统的关键模块,其性能直接影响整个收发机系统处理信号的能力。随着通信技术的不断发展,通信......

学位

单刀双掷开关低插入损耗高线性度堆叠晶体管非对称

基于0.13μm CMOS工艺的K波段SPDT开关

基于130 nm CMOS工艺,设计了一种24 GHz工作频率的单刀双掷(SPDT)开关.该开关基于π型阻抗匹配网络,将浮体技术和堆叠晶体管结构应......

期刊

单刀双掷开关 CMOS工艺浮体技术堆叠晶体管

看过本文同时还关注