本文通过C-V和C-F测试研究了热丝化学气相沉积(HWCVD)过程中不同缓冲层晶化度条件下太阳能电池的界面特性.缓冲层晶化度的提高可以......

用Pt、Ni或Pt/Ni金属膜修饰n~+/n-Si半导体表面后作为光阳极,在Fe(CN)_6~3-/4-溶液中组成光电化学电池,在最佳操作条件和65mW/cm~2......

本文介绍了厚度为５．２－６．０、１０－１３、１９μｍ，有效面积为２８－１５４ｍｍ＾２的外延硅ｄＥ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途，测试结果（对９．８７ＭｅＶ α粒子的能损△Ｅ的分辨率为５６－１２８ｋｅＶ）和在核物理实验中的应......

简要介绍了微系统技术中几种新材料，如液相外延硅，多晶硅、金刚石膜，新型玻璃，碳化硅薄膜的性能和制备方法。......

在表面外延生长9μm的n型层的磷重掺杂的硅基底n—n＋一Si）结构上沉积约40nm铂（Pt），经氩气保护673K热处理30min作为半导体电极（Pt／n—n＋-Si）......