多级单元相关论文
面向多级单元（Multi-Level Cell,MLC）的LDPC码的最小和（Min-Sum,MS）译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比（Log-Likeli......
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information......
多级单元（Multi-level Cell,MLC）闪存经过大量编程/擦除（Program/Erase,P/E）循环操作之后,MLC单元中隧道氧化层被破坏使得存储在浮栅中......
随着闪存编程/擦除循环次数的增加,多级单元（ Multi-Leal Cell,MLC ）的氧化隔离层被破坏,进而导致闪存的可靠性 急剧降低.针对这种情......
Utilizing commercial off-the-shelf(COTS) components in satellites has received much attention due to the low cost. Howev......
为了在现有务件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术.文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的......
针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用......
多级单元（Multi—Level—Cell，MLC）技术增加了NAND闪存的存储密度，但也增强了单元间干扰（Cell—to-Cell Interference，CCI）噪声强度，导致了......
随着多级单元（Multi-Level Cell,MLC）闪存存储密度的增加,单元间干扰（Cell-toCell Interference,CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主要噪......
