子能带相关论文
利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的......
本文在4.2K下测定了液相外延HgCdTe MIS结构样品的电容谱,磁阻振荡以及迴旋共振效应,并从实验测量结果,采用物理参数拟合法,确定了......
采用基于第一性原理的密度泛函理论和密度泛函微扰理论。优化计算金属钒的晶体结构能量与原胞参数之间的关系、电子结构及态密......
通过第一性原理电子能带结构计算,首次从理论上预测了对LiFePO的Li位进行Cr掺杂可以大幅度提高LiFePO的电子电导率,并就此提出了两......
我不是一个好女孩,我生命的开始就建立在妈妈的痛苦之上.据说,生我时,母亲难产,吃尽了苦头.童年时期,我不明白,为什么妈妈总在我的......
基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构,实现了2.5 THz量子级联激光器的连续波工作.激光器的输出频率随电流可在2.45～2.47 THz之间......
本文着重研究了表面超晶格，即二维调制电子气在外加电场下的子能带结构．计算结果表明，对于本文研究的一种特殊构型的表面超晶格，由外加......
研究了铁电１８０°畴超格子中畴子对导带底电子特性的影响，这种影响将导致在这种结构中形成电子子能带，从而影响材料的电子特性，电子有......
铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”......
利用提出的三维不对称方势阱模型,对半导体量子阱中二维电子气的性质进行了研究,确定其量子能级和费米能量,并对有关结果进行了讨......
基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构，实现了2．5 THz量子级联激光器的连续波工作。激光器的输出频率随电流可在2．45-2．47 THz之间可......
1、在阳光下散步。 阳光能够使人振奋。研究发现,光线能够抑制皮色激素——这种激素会使人抑郁。如果你非得在室内不可,就选个阳光......
<正> 本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层......
我们运用Kronig-Penney模型，研究了GaAs／AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽，跃迁矩随超晶格的结构参量（阱宽、垒宽和Al组分）......
基于束缚态到连续态跃迁有源区能带结构,实现了2.5THz量子级联激光器的连续波工作。激光器的输出频率随电流可在2.45~2.47THz之间......
孔子已成为中国传统文化中最主流的"文化母带",世代的拷贝、解说、旁白、剪辑、窜改不计其数。"子曰"什么已经不重要,重要的是我们......
用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变......
报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实......
讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定......
制备了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２４）ＭＩＳ器件，用自制的高精度差分电容谱仪测量了器件的Ｃ－Ｖ谱。根据褚君浩等提出的实验模型拟合测得的电容谱，获得了反型层电子子能带结构......
在100K条件下测量了p型InSb MOS器件的变频电容-电压(C-V)谱,在反型区观察到第二子带填充电子的台阶效应,还发现一个位于导带中的......
利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。......
我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kron......
采用扫描电子显微镜观察了纳晶结构和粗晶结构的W-20%Cu和Cu的首击穿烧蚀形貌,指出纳晶电弧烧蚀痕迹分散,烧蚀比较轻微;常规材料烧......
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