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GaN驱动芯片用宽安全工作区SOI-LDMOS器件研究
GaN功率器件相对于硅基器件具有开关速度快、临界电场高等优点,被广泛应用于高频功率电子系统中。绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物......
学位
GaN功率器件
SOI-LDMOS
薄埋氧层
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安全工作区范围
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