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富硅-SiNx薄膜相关论文

射频功率和沉积压强对富硅-SiN_x薄膜微结构的影响

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170W和沉积压强为2......

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PECVD技术富硅-SiNx薄膜光学带隙微观结构

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