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射频(RF)特性相关论文

AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响

利用相同器件工艺在两种不同材料结构上制备了Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了Al Ga N背势垒结构对器件特性的影响。测......

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AlGaN AlN/GaN HEMT SiC 势垒器件 SiC衬底 AlGaN背势垒直流(DC)特性射频(RF)特性结构器件

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