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在EKVv2．6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD的RF-MOSFET模型，模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗......
基于PSP模型提出一种新的RF-MOSFET模型。针对实际器件的物理结构,解析提取了RF条件下MOSFET的寄生参量。最终,将模型应用到某工艺......
