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层掺杂相关论文
4H-SiC MESFET结构外延技术研究
本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探......
会议
结构
外延材料
掺杂源
生长参数
浓度测试
技术生长
测试结果
热壁式
汞探针
层厚度
层掺杂
质量
优化
曲线
器件
过渡
氮气
表征
中间层掺杂的YBCO氧化物超导体的导电特性
...
会议
层掺杂
氧化物超导体
Mn掺杂多层膜巨磁电阻的制备与研究
该论文利用Mn对Co/Cu系统的中间层进行了多种不同情况的掺杂,成功的得到了低饱和场的磁电阻行为,并进行了一系列磁性和磁电阻行为......
学位
锰
磁电子学
磁电阻
层掺杂
磁性薄膜
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