基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带......

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了（001）,（101）和（111）面弛豫Si衬底上生长的应变Si1-xGex（x≤0.5）的能带结构模型,获得了其导带带边能级......

利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模......

在分析(111)Si基应变材料[应变Si/(111)Si1-xGex、应变Si1-xGex/(111)si]能带结构的基础上,获得了其态密度有效质量与应力及温度的......

利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点。基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/（001）Si......

基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带......