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该文分析和报道了高温无制冷激光器的结构及设计考虑，采用ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料所开发的应变多量子阱激光器，其垫垒和势阱间的导带偏移为ΔＥ〈，ｃ〉＝０．７２ΔＥ〈，ｇ〉......
