微区应力相关论文
半导体结构和器件在制造和使用过程中引入的热应力、晶格失配应力等可诱发晶体缺陷形核、改变能隙,降低器件的发光效率和灵敏度。......
本论文主要研究了VLSI中微米特征尺寸Al互连线的应力和微结构，及其对与电徙动中值失效寿命(MTF)的影响。 本项研究采用原子力显......
使用三纤维/基体有限元模型研究了纤维失效和基体屈服后钛基复合材料内微区应力分布,结果表明：钛基复合材料内纤维失效端面的轴向应......
采用电子背散射衍射（EBSD）技术，测量GaN／蓝宝石结构中的弹性应变场．将EBSD菊池衍射花样的图像质量叼值及小角度错配作为应力敏感参数，表......
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30~40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布。将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶......
