快重离子相关论文
概述了利用穆斯堡尔效应开展的固体材料快重离子辐照效应研究的部分结果 ,并对建立在兰州重离子加速器 (HIRFL)上的在束穆斯堡尔谱......
简要评述了快重离子辐照在纯金属中引起的电子能损效应的实验研究结果 ,特别是强电子能损在金属中引起的辐照缺陷的部分退火、新缺......
快重离子辐照损伤建立过程中的离子速度效应是近年来才发现的,离子速度效应是指快重离子在固体材料中引起辐照损伤的损伤截面,损伤......
简要介绍了快重离子在固体材料中强电子激发效应的基本特点、研究现状和在HIRFL上获得的部分实验结果，并对今后的研究工作进行了展......
简是介绍了快重离子与固体相互作用研究的状况和快重离子引起固体电子发射的机制，讨论了电子能损导致电子位移的3种微观模型，即“库......
非晶材料在快重离子轰击下显示了奇异的各向异性的塑性形变，这是电子能损所引起的宏观可见的剧烈的原子重排。这个效应不能发生在具......
简要介绍了SHIM物理及其近10年来国际研究的最新进展，重点介绍了中国科学院近代物理研究所在该学科研究中所获得的部分最新研究结果......
快重离子辐照作为缺陷工程的一种有力工具可以实现在原子尺度对二维材料进行改性,可以制备出纳米过滤膜、用于单个生物分子检测的......
用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱、X射线光电子谱和拉曼散射技术分析了能量为GeV量级的S、Fe、Xe、和U离子,以及120keV的H离子......
随着半导体技术的发展,芯片集成度越来越高,硅器件尺寸已逼近物理极限。同时,高集成度带来了新的问题,即微纳米器件在辐射环境下工......
半导体产业的飞速发展推动着半导体器件和材料的更新换代,其中第一代硅器件发展的相当成熟,但是由于硅属于间接带隙半导体材料,发......
