悬浮区熔相关论文
介绍了真空电子束区熔炉技术性能、区熔原理、设备结构及特点。该设备是国内第一台国产化的电子束区熔炉,能够对最大尺寸为φ30mm......
利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制各R2PdSi3(R=Pr,Yb和Gd)单晶.从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体......
利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制备R2PdSi3（R=Pr,Tb和Gd）单晶。从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体......
采用光悬浮区熔法以3 mm/h 的生长速度制备 Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融，其熔点在1700＆#176;C 左右。与Gd2PdSi3化学计......
采用悬浮区熔工艺,生长出了最大直径（等径部分）22 mm的〈100〉晶向锗单晶,单晶等径长度20 mm,总长度80 mm。为减小锗单晶生长中的重......
