利用传统陶瓷工艺制备了MnO2(0～0.4wt%)掺杂[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTi O3(x=0.06,y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷......

用半化学法制备掺锰0.6Pb（Ni1/2W1/2）O3-0.4PbTiO3（PNW-PT）反应前驱体。将该前驱体在800℃、2 h预烧,950℃、2 h烧结,制备不同掺锰量的......

用二次合成法制备了0.24Pb(Fe2/3W1/3)O3-0.06Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-0.56Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.14PbTiO3固溶体陶瓷,分别研究了预烧温度......

采用半化学法制备了掺锰的0.5Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.5PbTiO3(PMW-PT)陶瓷.掺锰PMW-PT反应前驱体是以醋酸镁和硝酸锰分别代替传统化物......

研究了添加不同剂量锰对(Bi1/2Na1/2)TiO3-BaTiO3(BNBT)二元系的介电、压电性能的影响.发现居里温度随锰掺杂量的增加而明显下降并......

采用电阻率为5 ·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料。测试发现,选择适当的扩散温度......