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新型半导体红外器件相关论文

新型半导体材料和红外器件的输运性质研究

本文主要是利用深低温强磁场条件下的变磁场霍耳效应测量和Shubnikov-de Hass(SdH)测量,并借助多载流子输运分析——迁移率谱分析......

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p型ZnO薄膜新型半导体红外器件变磁场霍耳效应测量迁移率谱分析 Shubnikov-de Hass振荡

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