无箔二极管相关论文
通过理论研究和PIC数值模拟的方法,分析了小阳极腔区结构无箔二极管的Ⅰ-Ⅴ特性,得到了束流强度变化的基本规律和结构影响因子的可......
探索了无箔二极管设计与计算中遇到的几个关键问题 :( 1)阴极杆损失 ;( 2 )近阴极区束流计算模型 ;( 3)空间电荷密度的计算 .理论......
通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-V特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律。研究发现,......
设计并完成了一无箔二极管，该二极管预计产生１ＭＶ、２０ｎｓ、１０ｋＡ以上的空心脉冲电子束。研究了无箔二极管的静态数值模拟方法，求得完全的自洽解。利......
无箔二极管作为用于产生强流相对论电子束的重要物理器件,对其进行数值模拟是对实验研究的一种必要补充,而国内过去的数值模拟上仅......
论文首先对电子的发射、电子束的形成和电子束的传输进行了讨论,其中主要讨论了爆炸发射的发射方式和使用引导磁场传输电子束的方......
主要叙述高功率二极管的理论模型和结构设计 ,采用基于引导磁场和相对论近似情况下的空间电荷限制流模型 ,对磁浸没无箔二极管产生......
无箔二极管中电子束的扩张和传输完全依赖于外加导引磁场控制.在考虑阴极杆发射的情况下,用PIC方法模拟了无箔二极管中电子束形成......
通过在强磁场条件下,利用环形刀口石墨阴极（刀口尺寸φ38～39 mm）开展电子束轰击收集极内表面铜箔和垂直轰击金属靶片实验,对无箔二极......
针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾......
基于单电子在电磁场中的运动理论,对某过模微波器件,用无箔二极管通过分析其导引螺旋管磁场和电子发射区电场的分布与相互关系,证......
主要叙述高功率二级管的理论模型和结构设计，采用基于引导磁场和相对论近似情况下的空间电荷限制流模型，对磁浸没无箔二级管产生的空......
设计并完成了一元箔二极管，该二极管预计产生１ＭＶ，２０ｎｓ，１０ｋＡ以上的空心脉冲电子束。研究了无箔二极管的静态数值模拟方法，求得完全的自治解。利用编......
用数值计算方法研究了无箔二极管中几何结构参量对束流的影响，得出了无箔二极管结构参数选择的部分规律，同时又结合实际给出了一个无......
介绍绝缘子表面闪络的物理机制,对四种径向绝缘结构模型,用PIC数值模拟方法计算绝缘子表面的电场分布,比较它们三结合点以及沿绝缘......
设计了一种非浸没式小型化轴向无箔二极管，其阴极发射区位于螺线管中心孔以外，采用螺线管、永磁体和软磁体构成的复合引导磁场系统。......
探索了无箔二极管设计与计算中 遇以的几个关键问题（１）阴极杆损失；（２）近阴极区束流计算模型；（３）空间电荷密度的计算。......
通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,......
为了在无箔二极管电磁PIC模拟中采用与电磁场自洽的空间电荷限制发射模型,对查尔特定律模型、高斯定律模型和一维二极管模型进行了......
用理论和粒子模拟相结合的方法分析了强流薄环形相对论电子束在低磁场导引下,在均匀波导,无箔二极管,以及锥形波导和渐减磁场位形......
针对基于SOS脉冲功率源S-5N的输出特点,利用PIC数值模拟软件,为S-5N设计了能够工作在低引导磁场条件下的无箔二极管系统,并在S-5N......
从二极管设计基础出发,对高功率无箔二极管动力学特征进行了模拟分析。结果表明：电子回轰必须被隔断,不仅不能让其轰击支撑绝缘体,......
无箔二极管中电子回流是造成绝缘子表面闪络的重要因素,用Maxwell方程和电子运动方程定性分析了电子束回流的可能性,采用PIC方法模......
