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日盲光电探测相关论文
Ga2O3宽禁带半导体研究进展
Ga2O3是一种新型的宽禁带半导体材料,拥有超大的带隙(~4.9 eV)、较大的击穿场强(~8 MV/cm)及较高的巴利加优值,在日盲光电探测、场效应......
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