晶界势垒模型相关论文
本文分析了BaTiO3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的......
WO3陶瓷作为一种低压压敏材料,在微电子集成电路等低压电路中保护领域将会有重要的应用。因此,WO3压敏陶瓷实用化的研究有重要的意......
通过变温 (10— 30 0K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs (111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程 .在晶界势垒......
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