晶界层相关论文
本论文分析研究了SrTiO_3双功能元件的机理和制备过程中的工艺技术。目的在于对工业生产提出合理可行的配方及工艺，从而提高产品质......
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍.......
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性......
氧化锌压敏电阻是避雷器的核心元件。研究了多元素掺杂的稀土掺杂的氧化锌压敏电阻的电气性能,选用了铝、镓、钇元素掺杂来综合提......
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系．通过等效电路分析，XRD，SEM显微结构观察，探讨了晶界效应及其特性对......
ZnO压敏电阻是避雷器的核心器件,其性能决定高压设备的绝缘水平。该文研究了通过氧化镓掺杂来提高氧化锌压敏电阻的通流容量。为此......
为了研制纤维补强氮化硅复合材料,避免纤维与基体的反应而受到损害,必须使氮化硅的热压处理温度降低到两者共存所允许的程度。添加......
将纯钛酸锶陶瓷和石墨粉放入加盖坩埚内加热，可使晶粒电阻率降低至９．２３Ωｃｍ；而晶界呈电容性，其电阻比晶粒大五十倍．在氢气氛中将钛酸锶陶瓷还......
钛酸锶的还原工艺和晶粒性质范仰才等（基础部）掺杂钛酸锶陶瓷可用作内边界层电容，其表观介电常数可高达１０５．这种晶界层陶瓷的研制过程分为......
<正> 一、前言陶瓷敏感材料是一种新兴的电子信息材料。它具有信息感受、变换和传输等功能,可以作成各种敏感元件和传感器,在信息......
