晶界层相关论文
本论文介绍了一种制作BaTiO基晶界层陶瓷电容器的新工艺.利用非均相沉淀法,将Cu(OH)均匀包裹在BaTiO颗粒表面,在经高温煅烧得到CuO......
考虑多晶体材料晶粒尺寸和取向的随机性和由此造成的材料弹性与塑性性质的微观各向异性和局部非均匀性,采用多晶集合体模型(1)用晶......
本论文介绍了一种制作BaTiO基晶界层陶瓷电容器的新工艺.利用非均相沉淀法,将Cu(OH)均匀包裹在BaTiO颗粒表面,在经高温煅烧得到CuO......
会议
<正>利用时域介电谱方法在氧化锌变阻器陶瓷中发现了一种非线性慢响应极化成分,它占了样品静态电容C_s的60—95%,响应时间长达数百......
通过改进传统的长时间烧结工艺,制备出了具有好的压敏特性的多元ZnO压敏材料,获得了非线性系数α=13的结果,系统研究了材料的I-V特......
在双肖特基势垒模型、晶界缺陷模型和晶粒生长动力学理论指导下,从减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度、降低ZnO压敏电阻器瓷片晶界层击......
氧化锌陶瓷电阻是由Zno晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有 线性的电压－电流特性，电阻率可调，电阻温度系数且为正，耐......
该文采用热刺激电流法研究了ＺｎＯ电压敏陶瓷在脉冲电流作用下微观荷电机构的变化状况，发现高密度脉冲电流或多次脉冲电流作用后，ＺｎＯ电压敏陶......
本论文分析研究了SrTiO_3双功能元件的机理和制备过程中的工艺技术。目的在于对工业生产提出合理可行的配方及工艺，从而提高产品质......
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍.......
本文研究了Ti/Sr比对低温一次烧结的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料性能和显微结构的影响.结果发现Ti/Sr比在一定范围内变化时,不影......
本文采用两阶段保温烧结的工艺制度,研究了烧结工艺条件对低温一次烧成的SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料显微结构和性能的影响,并由......
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性......
研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结......
本文采用空气中一次高温还原烧成、快冷至中温氧化新工艺,系统地研究了稀土氧化物Ln_2O_3(Ln—La、Sm、Dy)掺杂对SrTiO_3半导瓷晶......
用广义导纳圆综合了Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图、压电振子导纳圆、晶界怪陶瓷复阻抗分析等各种方法，从而可以更正确地得出电介质测量中的许多有用信息。......
本文探讨了气氛对低温一次烧结 SrTiO_(?)陶瓷晶界层电容器材料的影响。结果表明:在同一烧结温度下,强还原气氛会使材料内的晶粒充......
利用 SEM、TEM 和 EDAX 对添加 Li_2CO_3助烧的 SrTiO_3基晶界层电容器的显微结构、相组成及成份分布等进行观察和研究,结果表明,......
本文研究了低温烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层瓷料系统中Ｂｉ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＳｉＯ２等掺杂剂对瓷料半导化及烧结特性的作用与影响，讨论了将这种瓷料应用于常规多层陶瓷电容器......
将纯钛酸锶陶瓷和碳粉放入坩埚内加热还原,可使晶粒电阻串降低至9.23Ωcm;与氢气还原的钛酸锶具有相同的效果,但晶界层性质不一样......
氧化锌压敏电阻是避雷器的核心元件。研究了多元素掺杂的稀土掺杂的氧化锌压敏电阻的电气性能,选用了铝、镓、钇元素掺杂来综合提......
评述了高技术工业中新陶瓷和陶瓷复合材料的现状、特点和重要方面。描述了当前迫切需要解决的问题,讨论了通过引入新思想和某些试......
本文对TiO_2陶瓷晶界层电容器进行了较为系统的研究。用液相喷雾干燥法制备含Nb~(5+),Ba~(2+)微量杂质的TiO_2超细原料粉末,研究了......
在Ｍａｈａｎ的理论中计入电流流过陶 的晶界时所引起的压降并加以改进，可以说明三种典型晶支陶瓷的时域介电谱听慢极化响应，由物质常数出发就......
用电子显微镜、电子探针和X射线衍射综合分析了多元掺杂ZnO压敏电阻陶瓷的微观结构和化学组成及其分布,探讨了掺杂对ZnO非线性伏安......
用正电子寿命谱（ＰＡＳ）研究了ＺｎＯ压敏陶瓷的晶界缺陷，用简单捕获模型解释ＰＡＳ结果并估算正电子捕获速率，主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Ｚｎ空位。......
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系．通过等效电路分析，XRD，SEM显微结构观察，探讨了晶界效应及其特性对......
本文用导纳谱法测得低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下０．２ｌｅＶ处，提出了ＳｒＴｉＯ３顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作......
ZnO压敏电阻是避雷器的核心器件,其性能决定高压设备的绝缘水平。该文研究了通过氧化镓掺杂来提高氧化锌压敏电阻的通流容量。为此......
为了研制纤维补强氮化硅复合材料,避免纤维与基体的反应而受到损害,必须使氮化硅的热压处理温度降低到两者共存所允许的程度。添加......
将纯钛酸锶陶瓷和石墨粉放入加盖坩埚内加热，可使晶粒电阻率降低至９．２３Ωｃｍ；而晶界呈电容性，其电阻比晶粒大五十倍．在氢气氛中将钛酸锶陶瓷还......
钛酸锶的还原工艺和晶粒性质范仰才等（基础部）掺杂钛酸锶陶瓷可用作内边界层电容，其表观介电常数可高达１０５．这种晶界层陶瓷的研制过程分为......
