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最大缺陷态密度相关论文

Al2O3薄层修饰SiNx绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究

采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TF......

期刊

铟镓锌氧薄膜晶体管三氧化二铝氮化硅最大缺陷态密度 IGZO thin film transistors Al2O3 SiNx the maximum

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