栅宽相关论文
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
简要分析了MESFET开关的等效电路模型和MESFET开关器件的设计考虑,以及材料参数和器件结构对开关性能的影响,并设计制作了6组不同......
研究了Si衬底AlGaN／GaN异质结构场效应晶体管（HFETs）器件尺寸参数，包括源（漏）极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于......
