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栅极电压过冲相关论文
U型沟道SOI-LIGBT器件di/dt可控性研究与优化
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon on Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT)具有输入阻抗高、......
学位
di/dt可控性
U型沟道
栅极电压过冲
栅位移电流
分段栅极结构
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